| 专利名称 | 一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法 | 申请号 | CN200710046237.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101172185 | 公开（授权）日 | 2008.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙 | 主分类号 | A61N1/05(2006.01)I | IPC主分类号 | A61N1/05(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法 至一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性 聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离 (Lift-off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚 合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片， 实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结 构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底 的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特 点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电 极高一倍的刺激或记录分辨率。 |
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