| 专利名称 | 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 | 申请号 | CN200610140892.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101165474 | 公开（授权）日 | 2008.04.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 兰国政;吴少凡;林文雄 | 主分类号 | G01N21/84(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/84(2006.01)I;G01N21/49(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 至一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种非线性晶体激光损伤阈值的测量方法，涉及一种非线性晶体激光损伤 阈值的测量方法。应用高功率连续、准连续固体激光器照射非线性晶体器件， 采用He-Ne激光散射法，通过硅光电二极管来接收激光照射非线性晶体器件 时，晶体前后表面对He-Ne激光的散射变化，形成脉冲TTL信号，利用继电 器来控制设置在光路上的挡板(Shutter)，利用计时器来记录激光照射时间。逐 渐加大激光的输出功率，直至硅光电二极管观测到He-Ne激光的散射变化。通 过计算这时作用于非线性晶体器件表面的激光功率密度，计算出非线性晶体器 件在连续、准连续激光照射下的激光损伤阈值。 |
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