| 专利名称 | 具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200710045149.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101170158 | 公开（授权）日 | 2008.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 褚君浩;孟祥建;林铁;石富文;孙璟兰;马建华;韩莉 | 主分类号 | H01L37/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L37/02(2006.01)I;G01J5/12(2006.01)I | 专利有效期 | 具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法 至具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料的制 备方法，该方法是采用化学溶液沉积法：溶液由醋酸铅、醋酸镁、乙醇铌、正 丁醇钛、乙二醇甲醚和乙酰丙酮组成，配制成0.1-0.3M的前驱体溶液；采用旋 转镀膜方式得到凝胶膜，然后在快速退火中分段进行热处理，形成薄膜材料； 重复该过程，直至得到理想厚度的薄膜材料。本发明的优点是：整个工艺过程操 作简便、成本较低、可制备大面积均匀薄膜。采用本发明方法在 LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上得到的薄膜，经测量不施加偏场时的热释电系数可达 1.6×10-8Ccm-2K-1。 |
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