| 专利名称 | 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法 | 申请号 | CN200710170718.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101170150 | 公开（授权）日 | 2008.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 乔辉;汤英文;李向阳;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法 至平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法，该方 法采用湿法腐蚀剥离离子注入表面严重损伤层，腐蚀液用1‰的溴/乙醇或1‰ 的溴/氢溴酸，腐蚀液温度为冰水点。剥层厚度的确定是基于反偏条件下PN结 的I-V曲线给出的暗电流大小或R-V曲线的形状和峰值可以反映器件表面漏 电和产生-复合中心密度的大小。通过监测腐蚀过程中PN结的I-V曲线或R-V 曲线的变化来确定腐蚀剥层的截止点。本发明的优点是：方法简便有效、重复 性好。 |
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