| 专利名称 | 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法 | 申请号 | CN200710171389.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101170145 | 公开（授权）日 | 2008.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张可锋;唐恒敬;吴小利;徐国庆;李雪;朱龙源;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法 至铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种铟镓砷台面阵列探测器芯片的台面钝化膜及制备方法， 其特征在于：所述的台面钝化膜是通过阳极氧化在台面列阵的上表面和侧面自 生成的一层氧化物钝化膜。钝化膜的生成采用PH值为9的0.1mol/L的KOH溶 液和逐步的升高电压的方式，使所形成的钝化膜具有良好的绝缘性、粘附性、 优化了器件的表面特性，减小了表面和侧面的复合，进而减小暗电流，提高了 探测器的量子效率、响应率和探测率。 |
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