| 专利名称 | InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片 | 申请号 | CN200710047624.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101170144 | 公开（授权）日 | 2008.04.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 唐恒敬;吴小利;张可锋;汪洋;刘向阳;李永富;吴家荣;李雪;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片 至InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在 p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP 微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区，在线列或面阵微台面边 上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外， 整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路 互连的电极互连区，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面延伸至平面。 本发明的优点是：保留的InGaAs层可使台面降低，InGaAs层的侧面得到有效保 护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用， 可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu，可与p-InP 形成很好的欧姆接触，并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散，提高器件可靠性。 |
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