| 专利名称 | 一种测量半导体掺杂浓度的方法 | 申请号 | CN200710120481.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101159243 | 公开（授权）日 | 2008.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 李斌成;刘显明 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量半导体掺杂浓度的方法 至一种测量半导体掺杂浓度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种测量半导体掺杂浓度的方法，其特征在于：在同一测试系统中集成 了光载流子辐射测量技术和自由载流子吸收测量技术，同时获得自由载流子 的复合辐射信号与吸收信号；通过改变激发光的调制频率，得到频域的载流 子辐射信号和吸收信号；通过改变激发光与探测光之间的间距，得到空间域 的载流子辐射信号和吸收信号；通过与定标样品的载流子辐射信号和吸收信 号数据比较，得到被测样品的掺杂浓度。本发明基于光载流子辐射测量技术 和自由载流子吸收技术，由于集成了两路独立信号各自在频域和空间域上的 信息，大大提高了掺杂浓度的测量精度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障