| 专利名称 | 由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910090124.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101985348A | 公开（授权）日 | 2011.03.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 焦斌斌;陈大鹏;叶田春 | 主分类号 | B81B7/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/04(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构及其制作方法 至由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构，该微米尺度网格结构由外部边框(1)和网格区域(2)构成；该外部边框(1)为矩形，该网格区域(2)中包含有网孔(3)，该网孔(3)重复平铺于网格区域(2)所在的空间平面。本发明同时公开了一种制作由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构的方法。利用本发明，可以解决传感器或执行器的大形变要求与牺牲层厚度限制的矛盾，也可以满足部分光学传感器对于背面透光的特殊要求。 |
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