| 专利名称 | 利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法 | 申请号 | CN201010146666.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102211770A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 苏发兵;高俊杰;翟世辉;许光文 | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/021(2006.01)I | 专利有效期 | 利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法 至利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及多孔硅材料制备领域，具体地，本发明涉及利用硅与卤代烃反应进行多孔硅材料的制备方法。根据本发明的多孔硅材料的制备方法包括步骤：1)在固体催化剂的作用下，硅与气卤代烃加热反应，并控制硅不完全反应；2)分离未反应的硅，去除杂质后，即制备得到多孔硅材料。通过调节反应条件参数，可调控硅材料的孔径大小和分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料，且还可以得到重要的有机硅单体化学品，过程简单，可以实现多孔硅材料的清洁生产，具有广泛的应用前景。 |
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