氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法

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专利名称 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 申请号 CN200410053351.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1587438 公开(授权)日 2005.03.02 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍 主分类号 C23C16/00 IPC主分类号 C23C16/00;C23C14/34;H01L21/20 专利有效期 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 法律状态 授权 说明书摘要 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓 膜中的低温插入层及制备方法,其特征在于在GaN膜的HVPE 制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN 膜的过程中,先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层,然后 经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引 入,释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力,从而 提高了GaN层的质量。这种方法简单易行,且对于低温AlN 层的结晶质量要求不高,适合于科学实验和批量生产时采用, AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备 的。

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