| 专利名称 | 一种纳电子相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN200410053565.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588637 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;夏吉林;刘卫丽;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L21/82 | IPC主分类号 | H01L21/82;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00 | 专利有效期 | 一种纳电子相变存储器的制备方法 至一种纳电子相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在 于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积 一层Al和一层SiO2。通过曝光、 刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下 层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多 孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的 一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米 孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子 体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填 充，通过纳米抛光技 术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料， 引线，封装，实现纳米存储单元。 |
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