| 专利名称 | 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 | 申请号 | CN200410067218.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588642 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘卫丽;宋志棠;陈邦明;封松林 | 主分类号 | H01L27/092 | IPC主分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 专利有效期 | 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 至三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导 体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制 备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质 量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上。其 制作方法是在(100)面上形成nMOS并覆盖上绝缘层后，将表面 为(110)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(110)面上制备 pMOS，连线形成高速的CMOS结构；也可以在(110)面上形成 pMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(100)面的单晶硅薄膜转移 到绝缘层上，在(100)面上制备nMOS。本发明提供的金属氧化 物半导体晶体管结构及其制备方法，可以获得高迁移率、高集 成度和低成本。 |
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