| 专利名称 | 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 | 申请号 | CN200410053175.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588620 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 何力;陈路;巫艳;于梅芳;王元樟;吴俊;乔怡敏 | 主分类号 | H01L21/20 | IPC主分类号 | H01L21/20;H01L21/36 | 专利有效期 | 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 至用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字 合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置 有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束 外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件 和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位 错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合 金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构 的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法 适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe 材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的 使用要求。 |
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