| 专利名称 | 可逆相变材料电性能的表征方法 | 申请号 | CN200410053567.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588664 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00 | 专利有效期 | 可逆相变材料电性能的表征方法 至可逆相变材料电性能的表征方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变 材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与 W/SiO2/Si衬底上相变材料构成 存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位， 可逆相变区域(纵向与横向尺度)大小与针尖面积、施加在针尖 上的电能有关，针尖面积规定了存储器的器件尺度，相变材料 非晶到多晶的转变可通过探针接口上的I－V测试系统来实现， 一定的电压、电流范围，多次操作，相变区域可由小变大，直 致最大饱和尺度。多晶向非晶的转变，可通过PRAM测试系统 来实现，转变区域可通过电压脉冲信号脉高、脉宽来控制。该 系统可实现对材料可逆相变操作，实现存储单元读、写、擦与 疲劳特性的研究。 |
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