| 专利名称 | 高密度矩形深刻蚀石英透射光栅 | 申请号 | CN200410052908.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588134 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周常河;张妍妍 | 主分类号 | G02B5/18 | IPC主分类号 | G02B5/18;H01S5/00;G02F1/35 | 专利有效期 | 高密度矩形深刻蚀石英透射光栅 至高密度矩形深刻蚀石英透射光栅 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于高衍射效率透射800纳米波段半导体激 光或以800纳米为中心波长的飞秒脉冲激光的高密度矩形深刻 蚀石英透射光栅，其特征在于该光栅的线密度为1220～1270 线/毫米，光栅的深度为1.49～1.55微米，光栅的占空比为1/2。 本发明可以同时使TE、TM偏振方向的+1级布拉格透射衍射 效率实现高于90％的结果，本发明矩形刻蚀石英透射光栅由光 学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子光刻工艺加工 而成，可以低成本、大批量生产。 |
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