| 专利名称 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 | 申请号 | CN200410053350.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588624 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/205 | IPC主分类号 | H01L21/205;C30B25/02;C30B29/38 | 专利有效期 | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 至改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮 化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的 过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中 同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的 温区，或放在不同的温区，HCl气体流过Ga舟和In舟，通过 对于产生的InCl和GaCl的量进行调节，满足生长的需要。GaN 结晶膜的生长温度为1000－1100℃，在此温度下不会形成 InGaN合金，其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。 由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长 速度很高的HVPE生长方式非常重要，可以使得生长的GaN 的表面的平整度得到改进，且降低GaN结晶膜中的缺陷位错 密度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障