一种纳米相变存储器器件单元的制备方法

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专利名称 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法 申请号 CN200410053564.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1588613 公开(授权)日 2005.03.02 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 刘波;宋志棠;封松林;陈鲍明 主分类号 H01L21/00 IPC主分类号 H01L21/00;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00 专利有效期 一种纳米相变存储器器件单元的制备方法 至一种纳米相变存储器器件单元的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器 器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制 备出构成器件的各层薄膜,采用纳米加工技术制备出小孔,然 后在孔内填充电极材料或相变材料,最后把两个电极引出后即 可制备出相变存储器的器件单元,器件单元中发生相变区域的 尺寸在2-1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单 元;制备阵列孔时可得到阵列器件单元;阵列器件单元与 CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器 器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术,器 件结构简单,器件制备方法容易实施,可以很容易制备出纳米 尺寸的相变存储器器件或器件单元,实现存储器由微电子向纳 电子器件的转变。

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