| 专利名称 | 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法 | 申请号 | CN200410053566.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1588106 | 公开（授权）日 | 2005.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;夏吉林;陈宝明;张挺;封松林 | 主分类号 | G01R31/26 | IPC主分类号 | G01R31/26;H01L21/66 | 专利有效期 | 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法 至纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件 结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然 后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm， 间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆 盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元， 而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器 件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过 改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关 系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本 发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并 联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。 |
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