| 专利名称 | 一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料 | 申请号 | CN200410025136.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1583665 | 公开（授权）日 | 2005.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 姚春华;董显林;林盛卫;瞿翠凤;金绮华;孙大志 | 主分类号 | C04B35/46 | IPC主分类号 | C04B35/46;C04B35/462;C04B35/48;C04B35/491;C04B35/63 | 专利有效期 | 一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料 至一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低电阻率锆钛酸铅热释电陶瓷 材料的制备方法，其特征在于：1)Zr/Ti比例控制在(80～93)∶ (20～7)范围内；2)烧结添加物为 Sb2O3，MnCO3和 Al2O3，以PZT为基准，添加量分别为1－5wt％； 本发明提供 的制备方法可使锆钛酸铅热释电陶瓷材料的电阻率控制在1～ 4×1011Ωcm范围内，同时保持 材料原有的热释电性能不变，从而能够降低器件成本，提高器 件集成度，有望应用于探测器和非致冷焦平面红外热像仪中。 |
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