| 专利名称 | 一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法 | 申请号 | CN200410025197.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1584634 | 公开（授权）日 | 2005.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新漫传感技术研究发展有限公司 | 发明（设计）人 | 李铁;王翊;王跃林;林心如;奚庆中 | 主分类号 | G02B5/18 | IPC主分类号 | G02B5/18 | 专利有效期 | 一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法 至一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外 闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θ c切割形成基片，再对基片进行常 规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而 制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀 角θb和切割角度θ c满足关系式：θ b+θ c＝54.7°。所得到的闪耀光栅的 闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面 {111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工 艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量 生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。 |
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