| 专利名称 | 一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺 | 申请号 | CN200410024777.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1585145 | 公开（授权）日 | 2005.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;樊俊锋;柏胜强;史迅;黄向阳 | 主分类号 | H01L35/20 | IPC主分类号 | H01L35/20;H01L35/14;H01L35/34;H01L35/00;H01L37/00 | 专利有效期 | 一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺 至一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及锑化钴基热电材料的电极材料及其 制备工艺，其特征在于所述的电极材料为金属钼，钼片的厚度 为0.5－1.5mm。其制备特征在于锑化钴基热电材料的电极材料 钼通过引入金属钛过渡层经过放电快速烧结两步法实现接合， 锑化钴热电材料粉体的烧结和粉体与电极材料的接合同时进 行。本发明提供了一种接合面无明显界面电阻跃迁，接合强度 高，热稳定性好且工艺简单方便的Mo－Ti－ CoSb3的接合技术。 |
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