| 专利名称 | 柱状介孔二氧化硅及其制备方法 | 申请号 | CN03153264.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1579934 | 公开（授权）日 | 2005.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 唐芳琼;庞雪蕾 | 主分类号 | C01B33/113 | IPC主分类号 | C01B33/113 | 专利有效期 | 柱状介孔二氧化硅及其制备方法 至柱状介孔二氧化硅及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体材料的制备和应用技术领域， 特别是涉及柱状介孔二氧化硅材料及其制备方法。利用阳离子 表面活性剂为模板，用硅酸酯为硅源，在碱性条件下水解缩合 而成。所述的柱状介孔二氧化硅的长径比为2∶1～1∶1，柱长 为600～200nm，柱直径为300～100nm，比表面积为800～ 1200m2/g，介孔尺寸为2.0～ 3.5nm。本发明的方法不仅能耗低，分散性好，且柱状介孔二 氧化硅的长径比可通过改变反应条件加以控制。 |
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