| 专利名称 | 微米球形介孔二氧化硅的制备方法 | 申请号 | CN03153265.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1579935 | 公开（授权）日 | 2005.02.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 唐芳琼;庞雪蕾 | 主分类号 | C01B33/113 | IPC主分类号 | C01B33/113 | 专利有效期 | 微米球形介孔二氧化硅的制备方法 至微米球形介孔二氧化硅的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体材料的制备和应用技术领域， 特别是涉及球形介孔二氧化硅材料的制备方法。利用表面活性 剂为模板，用硅酸酯为硅源，在酸性条件下水解缩合而成。本 发明的方法不仅能耗低，分散性好，且介孔尺寸大小可通过加 入膨胀剂加以控制。 |
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