| 专利名称 | 热生长Al2O3膜型M－A1纳米复合镀层及制备方法和应用 | 申请号 | CN200410069557.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1576398 | 公开（授权）日 | 2005.02.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所;北京中康达超微技术应用研究所 | 发明（设计）人 | 彭晓;周月波;王福会;姜涛;铁军 | 主分类号 | C25D15/00 | IPC主分类号 | C25D15/00 | 专利有效期 | 热生长Al2O3膜型M－A1纳米复合镀层及制备方法和应用 至热生长Al2O3膜型M－A1纳米复合镀层及制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种热生长 Al2O3膜型M－Al纳米复合镀层及制备方法和应用。其成分为沉 积的纳米晶金属M和弥散分布其中Al纳米颗粒的组合，其中 M为Ni、Fe或Co；Al的含量按质量百分数计，为9.8～35％， 余量为M。制备：以金属Ni、Fe或Co，碳钢或低合金钢为基 材，在基材上采用共电沉积技术复合电镀金属M和Al镀层， 制得Ni－Al、Fe－Al或Co－Al纳米复合镀层。本发明不仅工 艺简单、成熟，易于推广；从经济角度讲，生产和维修成本低。 与传统的用金属－微米级金属粉制备的复合镀层相比，还具有 1)复合量高且成分可控；2)镀层致密；3)纳米复合镀层不需要 通过真空扩散处理，镀层在高温下可直接热生长保护性的 Al2O3氧化膜等特点。 |
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