| 专利名称 | 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法 | 申请号 | CN200410018081.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1570673 | 公开（授权）日 | 2005.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;汪扬;林成鲁;封松林 | 主分类号 | G02B1/10 | IPC主分类号 | G02B1/10;G02B5/20 | 专利有效期 | 一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法 至一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶 体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石 英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长 SiO2、 TiO2薄膜，各5～10层，设计 SiO2薄膜厚度10nm～96nm， TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从 而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子 束蒸发时的真空度10－6－ 10－8乇。本方法相对于分子束外 延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验 证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比 较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段 光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下 两代光源，即90nm和75nm光源。 |
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