| 专利名称 | 一种单硅片体微机械工艺实现的带静电自检测的加速度计 | 申请号 | CN200410018076.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1570651 | 公开（授权）日 | 2005.01.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;程保罗;王跃林 | 主分类号 | G01P15/00 | IPC主分类号 | G01P15/00 | 专利有效期 | 一种单硅片体微机械工艺实现的带静电自检测的加速度计 至一种单硅片体微机械工艺实现的带静电自检测的加速度计 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带 有静电自检测功能的加速度传感器，其特征在于它在同一个单 元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离 绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后，独立出适当 的区域用以实现静电驱动。该传感器采用压阻敏感原理，在平 面内自限制工作。该器件使用深反应离子(DRIE)刻蚀出可横向 摆动的悬臂梁，在刻蚀深沟进行侧壁扩散与侧壁绝缘形成敏感 压阻和静电驱动电容。本加速度传感器采用非键合的普通单硅 片制造。本器件为单片集成，有利于封装和批量生产。 |
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