| 专利名称 | 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法 | 申请号 | CN200410030729.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1564260 | 公开（授权）日 | 2005.01.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 彭子龙;韩秀峰;赵素芬;王伟宁;詹文山 | 主分类号 | G11C7/00 | IPC主分类号 | G11C7/00;G11C11/15 | 专利有效期 | 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法 至一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于垂直电流写入的磁随机 存取存储器及其控制方法，该MRAM单元中的信息写入操作 由一个平行于磁性薄膜存储单元MFC的电流以及另一个垂直 于磁性薄膜存储单元MFC并流经该单元的电流所产生的磁场 的共同作用来完成。这种结构的优点在于，取消了现有技术中 专门用于信息写入的一条字线，减少了金属布线层以及接触孔 的数目，降低了MRAM结构的复杂性、制造工艺的难度及其 成本。 |
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