| 专利名称 | 一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 | 申请号 | CN200410017747.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1564337 | 公开（授权）日 | 2005.01.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 夏吉林;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 | 专利有效期 | 一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 至一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单 元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于： 在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为 10nm－50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔 点高于硫系化合物。可选择的有Pt，Ti，TiN等。其结构的改 进的实现是采用溅射方法沉积底电极，在沉积一层电介质层， 通过曝光刻蚀方法刻蚀小孔，依次沉积加热电极和过渡层，再 在其上沉积电介质层，刻蚀较大孔，在孔中沉积硫系化合物， 经化学机械抛光后再沉积上电极。经由结构上的改进并实施， 由于过渡层材料电阻率高，发热效率就高，用较小的电流就可 以达到所需温度。 |
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