相变存储器单元器件的制备方法

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专利名称 相变存储器单元器件的制备方法 申请号 CN200410015743.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1556550 公开(授权)日 2004.12.22 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明 主分类号 H01L45/00 IPC主分类号 H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 专利有效期 相变存储器单元器件的制备方法 至相变存储器单元器件的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方 法,属于微电子技术领域。其特征在于,首先在衬底材料上沉 积底电极材料,再沉积电介质材料,然后通过机械方法,用三 棱锥,圆锥等多种形状和钻石,金刚石等不同材料的压头在薄 膜上打出小孔,使小孔穿透电介质层,尖头部和底电极材料接 触。接着,沉积薄薄一层相变材料,表面抛光。接着使用剥离 技术,即涂上光刻胶,曝光显影使小孔露出来,然后沉积上电 极材料,去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小, 可达几百纳米,所以很小的电流就可以产生很大的热量,使相 变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有 较小的功耗,很短的响应时间,对于器件的性能有很大的提高。

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