专利名称 | 相变存储器单元器件的制备方法 | 申请号 | CN200410015743.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN1556550 | 公开(授权)日 | 2004.12.22 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 | 专利有效期 | 相变存储器单元器件的制备方法 至相变存储器单元器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方 法,属于微电子技术领域。其特征在于,首先在衬底材料上沉 积底电极材料,再沉积电介质材料,然后通过机械方法,用三 棱锥,圆锥等多种形状和钻石,金刚石等不同材料的压头在薄 膜上打出小孔,使小孔穿透电介质层,尖头部和底电极材料接 触。接着,沉积薄薄一层相变材料,表面抛光。接着使用剥离 技术,即涂上光刻胶,曝光显影使小孔露出来,然后沉积上电 极材料,去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小, 可达几百纳米,所以很小的电流就可以产生很大的热量,使相 变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有 较小的功耗,很短的响应时间,对于器件的性能有很大的提高。 |
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障