| 专利名称 | 最小尺寸为纳米量级图形的印刻法制备工艺 | 申请号 | CN200310122870.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1554987 | 公开（授权）日 | 2004.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;张挺;夏吉林;封松林;陈宝明 | 主分类号 | G03F7/20 | IPC主分类号 | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00 | 专利有效期 | 最小尺寸为纳米量级图形的印刻法制备工艺 至最小尺寸为纳米量级图形的印刻法制备工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级的 图形的印刻法制备工艺，属于微电子领域。其特征在于先制备 出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用 得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料 上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中 制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复 杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高， 不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只 要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的 可重复性。 |
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