| 专利名称 | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201010244858.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101916787A | 公开（授权）日 | 2010.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 至一种黑硅太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种黑硅太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述黑硅太阳能电池包括金属背电极、晶硅、黑硅层、钝化层和金属栅极；金属背电极位于晶硅的背面，黑硅层位于晶硅上，钝化层位于黑硅层上，金属栅极位于钝化层上。所述制备方法包括：对硅片进行预处理；利用等离子体浸没离子注入技术，在预处理后的硅片表面制备黑硅层；在黑硅层上制备发射极，并对发射极进行钝化处理，形成钝化层；分别在单晶硅片的背面和钝化层上制备金属背电极和金属栅极。本发明利用黑硅层作为吸收层，在可见光波段内，电池的平均吸收率较高。 |
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