| 专利名称 | 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置 | 申请号 | CN03123574.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1553284 | 公开（授权）日 | 2004.12.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈旭南;罗先刚;田宏;石建平 | 主分类号 | G03F7/00 | IPC主分类号 | G03F7/00;G03F7/20;H01S5/00 | 专利有效期 | 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置 至一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装 置，由光源(3)、镜组(2)、反射镜(1)和镜组(4)组成的均匀照明 系统照明掩模，并使接触接近放置的硅片(7)上的抗蚀剂涂层(6) 感光，其特征在于：均匀照明系统的光源(3)是一般波长或长波 长激光，镜组(1)和镜组(4)是聚焦扩束准直均匀照明镜组，在均 匀照明位置放置的掩模是金属掩模(5)，它与安放在其下方的高 分辨率抗蚀剂涂层(6)之间距离为0.005－1000μm。本发明用 193－1000nm任意波长激光照明金属掩模，激发金属掩模表面 等离子体，通过等离子波传播，出射小发散角光用于光刻，不 受衍射极限的限制，不需要复杂昂贵的极短波长光源，就可制 作出纳米量级的图形。 |
1、源头对接，价格透明
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