| 专利名称 | 栅极堆叠的制造方法和半导体器件 | 申请号 | CN201010197080.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102270607A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;骆志炯;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 栅极堆叠的制造方法和半导体器件 至栅极堆叠的制造方法和半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种具有牺牲金属去氧侧墙的栅极堆叠的制造方法，包括：在半导体衬底上形成由界面氧化物层、高K介电层和金属栅电极上构成的栅极堆叠结构；保形地沉积覆盖所述半导体衬底和所述栅极堆叠结构的金属层；以及对所述金属层选择性刻蚀处理，去除覆盖所述栅极堆叠结构顶部和所述半导体衬底的所述金属层，仅保留在所述栅极堆叠结构的外周围绕所述栅极堆叠结构的牺牲金属去氧侧墙。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。 |
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