| 专利名称 | 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法 | 申请号 | CN201010275460.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101984512A | 公开（授权）日 | 2011.03.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;张挺;饶峰;吴良才;宋三年 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法 至复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法，所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，使材料内存在两个以上的相。本发明提出的氮化物复合相变存储材料是由氮化物与相变材料复合而成，通过互不相溶的分散作用，氮化物的引入能够限制相变材料晶粒的生长，提高了材料的结晶温度，提升了数据保持能力。由于氮化物较高的电阻率和较好的绝热性，材料的加热效率显著提升，而热扩散比例显著减少，提高了器件工作的效率，从而降低了功耗。 |
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