| 专利名称 | 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 | 申请号 | CN200910243520.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101984153A | 公开（授权）日 | 2011.03.09 | 申请（专利权）人 | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 彭同华;汪波;李龙远;陈小龙;刘春俊;李河清;朱丽娜;吴星;倪代秦;王文军;王刚;王皖燕 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 至一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小(晶体处温度梯度1-20℃/cm)的退火炉，在压力1万帕以上的惰性气体下用10-50小时升到退火温度，退火温度在2100-2500℃，恒温10-40小时后再用10-50小时降温。通过上述二次退火降低晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体产率。 |
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