| 专利名称 | 大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 | 申请号 | CN201010553377.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101984149A | 公开（授权）日 | 2011.03.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;陈兆慧 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I | 专利有效期 | 大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 至大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl，采用高温溶液法，以助熔剂生长晶体，该晶体紫外截至边在230nm以下，非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的6倍；该晶体具有倍频效应大，机械强度大，易加工，不潮解等特点，同时制备速度快，操作简单，成本低，所制晶体尺寸大等优点，适用于制作非线性的光学器件。在倍频转换，光参量振荡器等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。 |
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