| 专利名称 | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 | 申请号 | CN201010195799.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102270736A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 马勤礼;刘厚方;韩秀峰 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 至一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测磁性层具有钉扎结构，用于感应被探测磁场。本发明通过在AFM和FM之间加入插入层减小了直接交换偏置的钉扎效果，并且通过调节该插入层的厚度有效调控间接交换偏置的钉扎效果，以得到在外磁场为零时参考磁性层和探测磁性层的磁矩相互垂直，从而获得具有线性响应的基于GMR或TMR效应的线性磁敏传感器。 |
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