| 专利名称 | 一种相变材料抛光后清洗液 | 申请号 | CN201010189161.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102268332A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;钟旻;封松林 | 主分类号 | C11D1/86(2006.01)I | IPC主分类号 | C11D1/86(2006.01)I;C11D1/62(2006.01)I;C11D1/72(2006.01)I;C11D1/04(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变材料抛光后清洗液 至一种相变材料抛光后清洗液 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。 |
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