| 专利名称 | 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法 | 申请号 | CN200310109372.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1547268 | 公开（授权）日 | 2004.11.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;张挺;夏吉林;封松林;陈鲍尼 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00;G11C11/56 | 专利有效期 | 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法 至相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的 制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备 10－400nm的过渡层和50－400nm的下电极；接着利用网眼孔 径为10－500um的掩膜连续溅射约为10－1000nm的合金层以 及20－400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进 行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上 下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细 的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是 相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品 上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在 此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一 定是柱状，可以为其他形状。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障