| 专利名称 | 片外谐波吸收回路 | 申请号 | CN201010191193.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102270968A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 郝明丽;张宗楠;张海英 | 主分类号 | H03F1/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/32(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I | 专利有效期 | 片外谐波吸收回路 至片外谐波吸收回路 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种功率放大器的片外谐波吸收回路，属于通信技术领域。此种吸收回路应用于射频功率放大器电路，与射频功率放大器的微波单片集成电路(MMIC)分离，且该谐波吸收回路主要基于PCB基板来实现，由PCB上微带线、表贴电容元件、PCB上接地通孔、连接片内和片外电路的压焊金丝串联构成。通过金丝连接，使吸收回路与MMIC输出端并联。通过上述吸收回路中的元件产生串联谐振点，来吸收MMIC工作时产生的谐波成分。而本发明通过对金丝长度的灵活控制来改变金丝的电感量，实现对工作频带内产生的谐波进行有效地吸收，提高放大器电路的线性度。 |
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