| 专利名称 | 一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201110031688.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102270737A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘学超;陈之战;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 至一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，涉及一种高质量、低电阻率、具有内禀铁磁性的稀土金属离子掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法。本发明的薄膜，其化学成份符合化学通式Zn1-x-yErxAlyO，0＜x≤0.03，0＜y≤0.02。本发明以稀土金属离子Er和Al施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用ICP-PVD技术，制得具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜。本发明ICP-PVD技术可使Er均匀掺杂到ZnO晶格中，同时Al的掺杂可以显著提高ZnO薄膜中的载流子浓度，有效地调节Er2+离子间的铁磁交换，所得薄膜具有室温以上的内禀铁磁性和反常霍尔效应，可广泛应用于自旋电子器件中。 |
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