| 专利名称 | 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法 | 申请号 | CN200310108864.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1545152 | 公开（授权）日 | 2004.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00;G11C11/56;H01B13/00;B82B3/00 | 专利有效期 | 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法 至一种相变薄膜材料纳米线的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及相变随机存储器(PRAM)用的相变薄 膜材料纳米线的制备方法，属于微电子领域。本发明特征在于， 在100nm取向的Si片上，先后用蒸发方法沉积20－100nm的TiO2或Ti和100－300nm的W；接着在衬底冷却的条件下磁控溅射约为50－300nm的相变薄膜材料；最后在气压为0.5－1Pa氮气或氩气保护下对薄膜进行快速热处理。升温速率为10－30℃/s，保温时间为300－1500s，退火温度高于相变材料的结晶温度，低于熔化温度。在相同的氮气保护气压下自然冷却到室温。对样品进行SEM观测，可以看到相变薄膜材料纳米线的生成过程。本发明有助于通过组装的方法，制备新的纳米量级的相变薄膜材料存储器单元器件，从而促进相变存储器的开发。 |
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