| 专利名称 | 含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法 | 申请号 | CN200310110049.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1545153 | 公开（授权）日 | 2004.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 闫东航;王军;张吉东 | 主分类号 | H01L51/20 | IPC主分类号 | H01L51/20;H01L51/30 | 专利有效期 | 含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法 至含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种源/漏电极与栅绝缘层间含有 修饰层的有机薄膜晶体管器件及其制作方法。在源/漏电极和栅 绝缘层之间引入修饰层。它既可以增大器件的开态电流又可以 减小栅/源、栅/漏之间漏电流。 |
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