| 专利名称 | 一种SiC单晶生长压力自动控制装置 | 申请号 | CN200310113522.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1544714 | 公开（授权）日 | 2004.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清 | 主分类号 | C30B23/00 | IPC主分类号 | C30B23/00;C30B29/36 | 专利有效期 | 一种SiC单晶生长压力自动控制装置 至一种SiC单晶生长压力自动控制装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装 置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单 元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过 管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室 内压力，控制单元按设定程序并根据压力传感器的反馈信号自 动控制变频器的工作，变频器直接控制真空泵的工作。通过变 频器对真空泵进行控制后，因变频器的频率可在0～50之间连 续变化，相应地，真空泵的抽速也可在0～额定抽速之间进行 连续变化，线性度高，因而压力控制灵敏度高，波动性小，可 进行自动控制。 |
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