| 专利名称 | 一种碳化硅晶体生长装置 | 申请号 | CN200310113521.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1544713 | 公开（授权）日 | 2004.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清;李金成 | 主分类号 | C30B23/00 | IPC主分类号 | C30B23/00;C30B29/36 | 专利有效期 | 一种碳化硅晶体生长装置 至一种碳化硅晶体生长装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置 包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有 具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石 墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真 空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与 真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线 圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在 感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调 整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶 体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层 石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶 体。 |
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