| 专利名称 | 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置 | 申请号 | CN200310113523.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1544715 | 公开（授权）日 | 2004.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;吴星;倪代秦;李河清;胡伯清 | 主分类号 | C30B23/00 | IPC主分类号 | C30B23/00;C30B29/36 | 专利有效期 | 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置 至物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单 晶的方法，其步骤为：①保持与现有技术同样的状态参数及控 制方式不变；②在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可 靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位 置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不 变。其中第②步也可为：在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始 终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖与坩埚之间的相互位 置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的距离不变。 采用本方法，晶体的生长始终处于最佳驱动力状态，因而克服 了现有技术存在的不能生长较大晶体的局限性，而且在实施过 程中，操作简便。另外，因晶体一直在稳定一致的外界条件下 生长，故其质量得到保障。 |
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