| 专利名称 | 制造纳米器件的方法 | 申请号 | CN03109529.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1535915 | 公开（授权）日 | 2004.10.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 刘明;陈宝钦;徐秋霞;郑英葵 | 主分类号 | B82B3/00 | IPC主分类号 | B82B3/00 | 专利有效期 | 制造纳米器件的方法 至制造纳米器件的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括： 制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；基片涂 PMMA抗蚀剂；前烘；电子束曝光；显影MIBK∶IPA＝1∶3， 时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；蒸发或溅射金属； 在丙酮溶液中进行剥离；第二次涂电子束抗蚀剂，胶厚200－ 250nm；前烘；用电子束探测标记边缘的背散射电子的方法， 检测基片上的整片标记和每个管芯的小标记，根据测量的值进 行修正；二次电子束曝光，加速电压50KV，剂量500uC/cm2，束流100PA；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；光学曝光制作器件的其它图形，最终形成纳米量级器件。 |
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