| 专利名称 | 与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法 | 申请号 | CN02160271.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1514234 | 公开（授权）日 | 2004.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 李华清;蔡新霞;郭增军;崔大付;饶能高 | 主分类号 | G01N27/30 | IPC主分类号 | G01N27/30;G01N27/26 | 专利有效期 | 与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法 至与微机电系统工艺兼容的参比电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及与微机电系统(MEMS)工艺兼容的参 比电极的制备方法，首先将设计好的版图经微电子工艺形成掩 摸板，利用光刻方法形成所需微电极或电极阵列，即可组成电 化学测试系统。本发明以贵金属金Au，铂Pt为电极材料，采 用微机电系统工艺制作成超微薄膜电极阵列以在生化传感器 中的应用为实施例实现了与微机电系统工艺兼容的参比电极 的制备方法及其应用。本发明具有工艺流程简便、快速、重复 性好等优点，易于实现高精度复制和规模化生产，非常适宜于 微系统生物酶传感器阵列的制作，适用各种电化学两电极、三 电极器件或阵列芯片的参比电极的制备，将在生化传感器、生 物芯片以及微系统集成芯片研究开发领域中得到广泛应用。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障