LED外延片的制备方法及装置

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专利名称 LED外延片的制备方法及装置 申请号 CN201010563102.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102074624A 公开(授权)日 2011.05.25 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 梁秉文 主分类号 H01L33/00(2010.01)I IPC主分类号 H01L33/00(2010.01)I 专利有效期 LED外延片的制备方法及装置 至LED外延片的制备方法及装置 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种LED外延片的制备方法及装置。该方法是在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中,向衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力,使衬底基片保持平整状态。该方法是通过一固定机构实现的。本发明可有效消除蓝宝石晶片等衬底基片在高温条件下的翘曲现象,并令厚度较小的衬底基片可直接用于外延生长,从而节约了衬底材料以及避免了常规的减薄等操作,进而大幅降低了LED外延片的制造成本,并有效提高了LED外延片的生产效率和产品良率。

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