| 专利名称 | 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法 | 申请号 | CN200910238767.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102074489A | 公开（授权）日 | 2011.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王亮;蒲颜;袁婷婷;欧阳思华;庞磊;刘果果;魏珂;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R27/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法 至一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。 |
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